VGF坩堝

  • ● 產(chǎn)品概述
       VGF坩堝是應(yīng)用于VGF技術(shù)中的一類坩堝,垂直梯度凝固法(VGF)技術(shù)是目前流行的技術(shù),是微光電子和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生長(zhǎng)GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
    ● 主要特點(diǎn):
    1.可制作大規(guī)格坩堝(最大直徑為8inch,最大高度為18inch);
    2.純度保證(>99.99%);
    3.使用次數(shù)多(具有優(yōu)異的層間結(jié)構(gòu));
    4.成晶率高(通過對(duì)各向異性的調(diào)整,保證高的成晶率)。
    ● 主要參數(shù)

    性能

    單位

    數(shù)值

    密度

    g/cm3

    2.0-2.19

    體積電阻系數(shù)

    Ω·cm

    3.11×1011

    抗張強(qiáng)度 (力|| “C”)

    N/mm2

    153.86

    抗彎強(qiáng)度

    (力|| “C”)

    N/mm2

    243.63

    (力⊥“C”)

    N/mm2

    197.76

    顯微硬度

     -

    N/mm2

    691.88

    熱傳導(dǎo)率

     -

    -

    “a”方向    “c”方向

    (200℃)

    W/m·k

           60              2.60

    (900℃)

    W/m·k

          43.70          2.80

    介電強(qiáng)度(室溫)

    KV/mm 

    56

    ● 產(chǎn)品應(yīng)用:

       用于VGF法合成半導(dǎo)體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
    ● 聯(lián)系方式:
       0534-2129266
    * 國(guó)晶官網(wǎng)鏈接:www.guojingxincai.com

INDUSTRIAL LAYOUT

產(chǎn)業(yè)布局