● 產(chǎn)品概述:
分子束外延(MBE)法是生產(chǎn)砷化鎵外延片方法之一,該法可制出多元、多層、同質(zhì)、異質(zhì)、超晶格和量子阱等結(jié)構(gòu)的外延材料。晶體純度高,化學(xué)穩(wěn)定性好。
●主要特點(diǎn):
1. 可制作大規(guī)格坩堝(最大直徑為12inch,最大高度為17inch);
2. 密度高(最高可達(dá)2.19 g/cm3);
3. 純度高(>99.99%);
4.不易開裂(優(yōu)異的熱膨脹系數(shù))。
●主要參數(shù):
性能 | 單位 | 數(shù)值 | |
密度 | g/cm3 | 2.0-2.19 | |
體積電阻系數(shù) | Ω·cm | 3.11×1011 | |
抗張強(qiáng)度 (力|| “C”) | N/mm2 | 153.86 | |
抗彎強(qiáng)度 | (力|| “C”) | N/mm2 | 243.63 |
(力⊥“C”) | N/mm2 | 197.76 | |
顯微硬度 | - | N/mm2 | 691.88 |
熱傳導(dǎo)率 | - | - | “a”方向 “c”方向 |
(200℃) | W/m·k | 60 2.60 | |
(900℃) | W/m·k | 43.70 2.80 | |
介電強(qiáng)度(室溫) | KV/mm | 56 |
●產(chǎn)品的應(yīng)用:
主要用于MBE法合成半導(dǎo)體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
●聯(lián)系方式:
0534-2129266
* 國晶官網(wǎng)鏈接:www.guojingxincai.com
產(chǎn)業(yè)布局