刻蝕機(jī)方面產(chǎn)品

  • ●產(chǎn)品概述:
      目前半導(dǎo)體刻蝕用的比較多的是等離子干法刻蝕技術(shù),它是利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的技術(shù)。干法刻蝕工藝過(guò)程是化學(xué)反應(yīng)作用和物理轟擊作用的結(jié)合。相比于傳統(tǒng)的濕法刻蝕技術(shù),干法刻蝕技術(shù)由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域,如今更是逐漸擴(kuò)展到LED等領(lǐng)域。固體碳化硅主要應(yīng)用在刻蝕機(jī)的聚焦環(huán)、邊界環(huán)、蓮蓬頭。
    ●主要特點(diǎn):
    1.強(qiáng)度高(莫氏硬度9.5,僅次于金剛石);
    2.耐酸堿鹽及有機(jī)溶劑的腐蝕;
    3.半導(dǎo)體。
    ●主要參數(shù):
      石英、硅、RB碳化硅、CVD碳化硅四種物質(zhì)的性質(zhì)比較:

    相關(guān)指標(biāo) 石英 RB碳化硅 CVD碳化硅

    密度

    2.2

    2.33

    3.1

    3.21

    抗彎強(qiáng)度(MPa)

    49

    ~300

    350

    590

    彈性模量(MPa*104

    7.8

    -

    41

    45

    韌性(MN/m3/2

    -

    -

    3.5

    -

    C.T.E(*10-6/K)

    0.5

    2.3

    4.3

    4

    導(dǎo)熱系數(shù)(W/m.K)

    1.3

    150

    67

    250

    電阻系數(shù)(Ωcm)

    1013

    0.02,1~5 外

    0.1

    0.01~20000

    晶體結(jié)構(gòu)

    不規(guī)則

    立方型

    六方型

    立方(β –型)

    晶格常數(shù)(?)

    -

    a = 5.4307

    a = 3.0, c= 10 ~37

    a = 4.3596

    能隙(eV)

    -

    1.11

    2.86

    2.20

    介電常數(shù)

    -

    11.7

    6.52

    6.52

    分解溫度(℃)

    -

    -

    1,500℃

    2,000℃↑

    共融溫度(℃)

    1,700℃

    1,427℃

    -

    -

    ●聯(lián)系方式:
      0534-2129266
    *公司網(wǎng)址:www.guojingxincai.com

INDUSTRIAL LAYOUT

產(chǎn)業(yè)布局